НАНОСТРУКТУРНЫЕ SIO2/ZnO/Si ПЛЕНКИ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Золь-гель методом синтезированы прозрачные (пропускание свыше 95%) проводящие покрытия для солнечных элементов. Интеграция ZnO с Si может открыть возможности реального совмещения уникальных функциональных способностей этих материалов и кремниевой технологии, в частности, при производстве солнечных элементов.
Область применения
Применение двухслойных ZnO /SiO2 пленок повышает КПД солнечных элементов за счет расширения рабочего волнового диапазона СЭ. Возможно применение в электронике – в качестве активной среды для солнечных элементов, пьезоэлектронных устройств, сенсоров, фотоконвертеров, эмиттеров, в спинторонике, оптоэлектронике.
Преимущества технологии
Простота используемого оборудования, экономичность, экологичность, гибкость технологии, отсутствие вредного воздействия на человека и окружающую среду.
Характеристики пленок
SiO2/ZnO/Si-структуры синтезированы золь-гель методом с использованием нитрата, хлорида либо ацетата цинка в качестве исходных реагентов. Использование функциональных слоев на основе ZnO пленок в солнечных элементах позволит совместить его функцию прозрачнопроводящего электрода со свойством переизлучения для обеспечения улучшения параметров солнечных элементов.
| Характеристики пленок | Величина показателей |
| Температура формирования, °С | 300-530 |
| Удельное сопротивление, Ом*см | от 10-3 до 10-6 |
| Пропускание, % | 80-97 % |
| Толщина пленки, нм | более 300 |
Гайшун Владимир Евгеньевич,
заведующий ПНИЛ перспективных материалов,
кандидат физико-математических наук, доцент,
тел. (+375 232) 50 38 22, факс (+375 232) 50 38 13,
e-mail: vgaishun@gsu.by, http:// www.pnil.gsu.by, http://nis.gsu.by
QR-код на эту страницу:
